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电子技术基础(模拟部分)（第五版） - 经典教材配套丛书 - 中国高校教材图书网

	书名：	电子技术基础(模拟部分)（第五版）经典教材配套丛书
	ISBN：	978-7-5628-2224-0	责任编辑：
	作者：	张秋萍相关图书	装订：	平装
	印次：	1-1	开本：	大32开
	定价：	￥39.80　折扣价：￥35.82 折扣：0.90 节省了3.98元	字数：	524千字
	出版社：	华东理工大学出版社	页数：
	出版日期：	2008-11-01	每包册数：
	国家规划教材：		省部级规划教材：
	入选重点出版项目：		获奖信息：
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内容简介：
本书是与康华光《电子技术基础：模拟部分（第五版）》（“十五”国家级规划教材）配套的学习辅导书，全书与教材保持同步，完全按照原书的编排顺序逐章编写，每章内容包括：本章重点难点、知识结构图、知识点总结、答疑解惑、经典例题精讲、考研实战模拟、习题解答、考研实战模拟精讲等8个栏目。本书相对于教材有一定的独立性，可作为本科专业学生学习辅导书，也可作为使用上述教材的教师的案头参考书，更是自学者和有志攻读硕士研究生青年的良师益友。
作者简介：

章节目录：
第一章绪论1 一、本章重点难点1 二、知识结构图1 三、本章知识点总结1 四、答疑解惑3 五、教材同步习题答案及解析4 第二章运算放大器8 一、本章重点难点8 二、知识结构图8 三、本章知识点总结8 四、答疑解惑10 五、经典例题精讲10 六、考研实战模拟19 七、教材同步习题答案及解析21 八、考研实战模拟精讲31 第三章二极管及其基本电路37 一、本章重点难点37 二、知识结构图37 三、本章知识点总结37 四、答疑解惑42 五、经典例题精讲43 六、考研实战模拟48 七、教材同步习题答案及解析50 八、考研实战模拟精讲53 第四章双极结型三极管及放大电路基础57 一、本章重点难点57 二、知识结构图57 三、本章知识点总结58 四、答疑解惑68 五、经典例题精讲70 六、考研实战模拟89 七、教材同步习题答案及解析93 八、考研实战模拟精讲108 第五章场效应管放大电路117 一、本章重点难点117 二、知识结构图117 三、本章知识点总结117 四、答疑解惑122 五、经典例题精讲122 六、考研实战模拟128 七、教材同步习题答案及解析130 八、考研实战模拟精讲136 第六章模拟集成电路142 一、本章重点难点142 二、知识结构图142 三、本章知识点总结143 四、答疑解惑147 五、经典例题精讲148 六、考研实战模拟153 七、教材同步习题答案及解析156 八、考研实战模拟精讲166 第七章反馈放大电路169 一、本章重点难点169 二、知识结构图169 三、本章知识点总结170 四、答疑解惑175 五、经典例题精讲176 六、考研实战模拟189 七、教材同步习题答案及解析193 八、考研实战模拟精讲200 第八章功率放大电路205 一、本章重点难点205 二、知识结构图205 三、本章知识点总结205 四、答疑解惑208 五、经典例题精讲208 六、考研实战模拟214 七、教材同步习题答案及解析217 八、考研实战模拟精讲221 第九章信号处理与信号产生电路226 一、本章重点难点226 二、知识结构图226 三、本章知识点总结227 四、答疑解惑233 五、经典例题精讲234 六、考研实战模拟247 七、教材同步习题答案及解析251 八、考研实战模拟精讲265 第十章直流稳压电源275 一、本章重点难点275 二、知识结构图275 三、本章知识点总结276 四、答疑解惑280 五、经典例题精讲280 六、考研实战模拟291 七、教材同步习题答案及解析294 八、考研实战模拟精讲302
精彩片段：
第四章双极结型三极管及放大电路基础一、本章重点难点 1. 晶体管的放大作用、输入、输出特性曲线,主要参数,温度对参数的影响。 2. 图解法和小信号模型求解放大电路的静态和动态情况。 3. 根据输出电压波形，判断非线性失真的类型及其消除方法。 4. 三种半导体三极管放大电路的特点和区别。 5. 放大电路的频率响应及各元件参数对性能的影响。二、知识结构图双极结型三极管及放大电路1. 双极结型晶体管结构及类型电流放大作用共射特性曲线主要参数 2. 共射极放大电路放大的概念基本共射极放大电路的工作原理及波形分析两种工作状态分析步骤 3. 图解分析法静态分析动态分析非线性失真及最大不失真输出电压图解分析法的特点 4. 小信号模型分析法半导体三极管的小信号模型用H参数小信号模型分析基本共射极放大电路 5. 放大电路的工作点稳定问题 6. 共射极电路、共集电极电路和共基极电路特点 7. 多级放大电路阻容耦合直接耦合变压器耦合组合放大电路 8. 放大电路的频率响应基本概念 RC低通电路的频率响应 RC高通电路的频率响应波特图放大电路存在频率响应的原因三、本章知识点总结 1. 半导体BJT 双极结型晶体管也称为半导体三极管，简称晶体管或三极管。（1）结构和类型 ① 晶体管有三个电极和两个PN结，分别是发射极（E或e）、基极（B或b）、集电极（C或c）和发射结（Je）、集电结（Jc）。 ② 类型 a. 按结构不同分为NPN型和PNP型。 b. 按材料不同分为硅（Si管）和锗（Ge）管。还可以按工艺结构、工作频率范围、用途等进行分类。 (2) 偏置与工作状态 ① 发射结正向偏置、集电结反向偏置——放大状态； ② 发射结和集电结均为正向偏置——饱和状态； ③ 发射结反向偏置、集电结正向偏置——倒置状态。这一状态很少使用。 (3) 放大原理当晶体管发射结外加正向偏置电压、集电结外加反向偏置电压时，若再外加交变信号，使EB极间电压发生变化，这时，各电极的电流均有变化，分别是 ΔiE,ΔiB和ΔiC，它们的正、负符号与ΔVBE符号一致，且ΔiC远远大于ΔiE。因此，晶体管可以靠外施发射结电压的改变改变iB，iB的变化又会引起iC的很大变化，如果让ΔiC在一个电阻产生电压降，就可获得比控制电压大得多的电压。 (4) 伏安特性 ① 共射极输入特性表达式为 iB=f(vBE)vCE一定图4.1.1是一种硅NPN型管的输入特性曲线。VCE从零增大到约1 V，曲线逐渐右移；VCE＞1 V后，曲线几乎不再移动。输入特性形状类似于二极管的正向特性。 ② 共射极输出特性表达式为 iC=f(vCE)iB一定输出特性曲线如图4.1.2所示。输出特性曲线把晶体管分为三个工作区：图4.1.1 图4.1.2 a. 饱和区——曲线近乎垂直上升部分与纵轴间的区域。在这一区域内，对应于不同iB值的输出特性曲线几乎重合，iC不受iB控制，只随vCE增大而增加。 b. 截止区——iB=-ICBO的那条曲线与横轴间的区域。在这一区域内，iC几乎为零。 c. 放大区——介于饱和区和截止区之间的区域。在这一区域内，主要受iB的控制，由于基区调宽效应影响，当iB一定，而vCE增大时，iC略有增加。上述三个区，分别对应于晶体管的饱和、截止、放大三种工作状态。 (5) 三极管的三种工作状态要保证三极管工作在放大状态，则应满足：发射结正向偏置，集电结反向偏置。或者说，三极管的三个电极的电压应满足：对NPN管： VC＞VB＞VE 对PNP管: VC＜VB＜VE 由于硅管和锗的特性有所差异，在放大状态时基极与发射极间的压降｜VBE｜数值不同，工程估算中，认为硅管｜VBE｜=0.7 V，锗管｜VBE｜=0.2 V，不同的三极管死区电压Vth也不同，常近似为Vth≈0.5 V（硅管），或Vth≈0.1 V（锗管）。三极管除工作在放大状态之外，还有饱和与截止工作状态，这两个工作状态主要在数字电路中作开关使用。如果发射结和集电结均正偏置，则三极管工作在饱和状态，如果发射结电压小于导通电压，则三极管工作在截止状态。根据基极电流IB的大小，可使晶体管工作在三个不同的区域：放大、饱和、截止。 (6) 主要工作参数 ① 直流参数：有共基极直流电流放大系数；共射极直流电流放大系数β；极间反向电流：集电极－基极间反向饱和电流ICBO，集电极－发射极间反向饱和电流（也称穿透电流）ICEO。 ② 交流参数：有共基极交流电流放大系数α；共射极交流电流放大系数β；频率参数：共射极截止频率fβ，特征频率fT。其中α≈，β≈β。 ③ 极限参数：有集电极最大允许电流ICM；集电极最大允许功率耗散PCM；击穿电压：V（BR）CBO，V（BR）CES，V（BR）CEO，V（BR）EBO。 (7) 温度对晶体三极管特性和参数的影响由于半导体材料的热敏性，晶体管的输入特性和输出特性以及参数都受温度影响。但影响最显著的参数有： ① ICBO的影响温度每升高10 ℃，ICBO大约增加一倍。反之，温度下降，ICBO减小。由于硅管的ICBO比锗管小得多，所以从绝对值上看，硅管比锗管受温度影响小。 ② VBE的影响温度变化1 ℃，｜VBE｜大约变化2~25 mV，并具有负温度系数。若VBE不变，温度升高时，iB将增大。 ③ β的影响温度每增加1 ℃，β约增大1%。
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